PDTC123YT.215

Фото 1/6 PDTC123YT.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 275 шт.
Добавить в корзину 275 шт. на сумму 825 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8013766720
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный TO236

Технические параметры

Корпус to236
кол-во в упаковке 3000
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № PDTC123YT T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.22
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number PDTC123 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 250mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов