DMN1025UFDB-7, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
61 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
42 руб.
от 100 шт. —
37 руб.
от 500 шт. —
26.27 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 305 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
| Case | U-DFN2020-6 |
| Drain current | 5.5A |
| Drain-source voltage | 12V |
| Gate charge | 23.1nC |
| Gate-source voltage | ±10V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 38mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.7W |
| Pulsed drain current | 35A |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
