Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › TP2540N3-G, Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.086A ...

TP2540N3-G, Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 руб.

Кратность заказа 25 шт.

от 250 шт. — 270 руб.

от 500 шт. — 245 руб.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 8 000 руб.

Номенклатурный номер: 8013961463

Артикул: TP2540N3-G

Бренд: Microchip Technology

Описание

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

МОП-транзистор 400V 25Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	86 mA
Pd - рассеивание мощности	740 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Base Product Number	TP2540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	86mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PCN Packaging	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Power Dissipation (Max)	740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25Ohm @ 100mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-92-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Formed
Material	Si
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.086
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	25000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	400
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.4
Maximum IDSS (uA)	10
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	740
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Bag
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	DMOS
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-92
Typical Fall Time (ns)	13(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	60@25V
Typical Rise Time (ns)	10(Max)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	20(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10(Max)