NTE2900, Power Mosfet N-channel 250V Id=14A TO-220 Case High Speed
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
820 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 8 200 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
Технические параметры
| ChannelMode | Enhancement |
| ChannelType | N |
| COO | US |
| ECCN | EAR99 |
| Family | NTE2900 |
| HTS | 8541290095 |
| MaximumContinuousDrainCurrent | 14A |
| MaximumDrainSourceResistance | 280@10VmOhm |
| RoHS | Yes |
| UnitofMeasure | PerEach |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547835.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234969.jpg)
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801137.jpg)
![2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/217/DOC000217114.jpg)
