IRFU310
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
99 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 11 шт. —
74.37 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 1,1А, 25Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 1.7(A) |
| Drain-Source On-Res | 3.6(ohm) |
| Drain-Source On-Volt | 400(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | IPAK |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 2.5(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Вес, г | 0.658 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 829 КБ
Документация
pdf, 806 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
