P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin TPC8117(TE12L,Q)

P-Channel MOSFET, 18 A, 30 V, 8-Pin TPC8117(TE12L,Q)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
95 шт., срок 7 недель
570 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 850 руб.
Номенклатурный номер: 8014468679
Артикул: TPC8117(TE12L,Q)
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 18 A
Maximum Drain Source Resistance 4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.9 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 130 nC @ 10 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 227 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.