2N3906BU, 2N3906 PNP Transistor, -200 mA, -40 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 22 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги13
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,2А, 625мВт, TO92 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -0,95 В |
| Длина | 5.2мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -40 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 4.19мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 5.33мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Размеры | 5.2 x 4.19 x 5.33мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Part # Aliases: | 2N3906BU_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2N3906 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 250 MHz |
| Height | 4.7 mm |
| Length | 4.7 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | 2N3906BU_NL |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2N3906 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Width | 3.93 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
2N3906
pdf, 51 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 248 КБ
Datasheet 2N3906BU
pdf, 565 КБ
Datasheet 2N3906TA
pdf, 307 КБ
2N3906, MMBT3906, PZT3906
pdf, 496 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
