Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23

2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

24000 шт., срок 6 недель

45 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 135 000 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8014515651

Артикул: 2STR2160

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage	-60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-60 V
Maximum DC Collector Current	-2 A
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum DC Current Gain	250
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	45
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	260 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2STR2160
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	45hFE
DC Усиление Тока hFE	45hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	260 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	45
DC Current Gain hFE Max:	560
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	2 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	500 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	1