FCHD190N65S3R0-F155

Фото 1/3 FCHD190N65S3R0-F155
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 30 шт.1 280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 720 руб.
Номенклатурный номер: 8008457912

Описание

МОП-транзистор Easy Drive 650V 17A 190 mOhm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 17 A
Pd - рассеивание мощности 144 W
Qg - заряд затвора 33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 16 ns
Время спада 6 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 10 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия SuperFET3
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 42 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 17 A
Maximum Drain Source Resistance 190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Maximum Gate Source Voltage ±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 144 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247AD
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 33 @ 10 V nC
Width 5.3mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 318 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов