FCHD190N65S3R0-F155
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 30 шт. —
1 280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Описание
МОП-транзистор Easy Drive 650V 17A 190 mOhm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
Pd - рассеивание мощности | 144 W |
Qg - заряд затвора | 33 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | SuperFET3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 42 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 144 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AD |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 33 @ 10 V nC |
Width | 5.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 318 КБ
Datasheet FCHD190N65S3R0-F155
pdf, 316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов