NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 540 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 32 540 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ON Semiconductor transfer molded power module containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 35 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 35 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 35 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 6 |
| Package Type | DIP26 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 35А |
| DC Ток Коллектора | 35А |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Количество Выводов | 26вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |
| Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
| Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet NXH35C120L2C2SG
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
