IPL60R210P6AUMA1, N-Channel MOSFET, 19.2 A, 600 V, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 IPL60R210P6AUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 1 260 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 19.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.21 O |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | ThinkPAK 8x8 |
Pin Count | 5 |
Series | CoolMOS P6 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов