UMB10NFHATN, UMB10NFHATN Dual PNP/PNP Digital Transistor, -100 mA, -50 V, 6-Pin SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 7 недель
20 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 60 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
The Rohm general purpose dual digital transistor with independent transistor element. It is used in inverter, interface and driver.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Type | PNP/PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV |
| Другие названия товара № | UMB10NFHA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 21 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1420 КБ
Datasheet UMB10NFHATN
pdf, 1424 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
