SSM3K329R,LF(T, Silicon N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K329R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27000 шт., срок 7 недель
33 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 99 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching and high speed switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.89e+008 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K329R,LF
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
