SiC N-Channel MOSFET, 28 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 770 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MSC060SMA070B4
pdf, 2071 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
