STY60NM50, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, MAX247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт., срок 7 недель
4 550 руб.
от 3 шт. —
4 040 руб.
от 10 шт. —
3 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 37,8А, 560Вт, MAX247 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 46 ns |
| Height | 20.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| Length | 15.9 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Max247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 560 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
| Rise Time | 58 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time | 51 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 5.3 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 150 |
| Fall Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Max247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 560 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 266 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Rise Time: | 58 ns |
| Series: | STY60NM50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time: | 51 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 5.11 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
