AUIRFZ24NSTRL, N-Channel MOSFET, 17 A, 20 V D2PAK AUIRFZ24NSTRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
620 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 860 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AUIRFZ24NS
pdf, 641 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
