BUL1102E, Транзистор биполярный стандартный TO-220AB

BUL1102E, Транзистор биполярный стандартный TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт., срок 7 недель
310 руб.
от 10 шт.220 руб.
от 30 шт.184 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014887880
Артикул: BUL1102E
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 70 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.75 mm
Длина 10.4 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 450 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BUL1102E
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Вес, г 1.97

Техническая документация

Datasheet BUL1102E
pdf, 382 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.