BUL1102E, Транзистор биполярный стандартный TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 7 недель
310 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 30 шт. —
184 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.4 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BUL1102E |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Datasheet BUL1102E
pdf, 382 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары