N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1950 шт., срок 7 недель
350 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 17 500 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.2 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 126 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | TK |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Width | 4.45mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK40E10N1,S1X(S
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары