PMXB120EPEZ, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -10А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1905 шт., срок 7 недель
61 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
39 руб.
от 150 шт. —
33 руб.
от 500 шт. —
26.68 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 305 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
P-channel MOSFETs, The perfect fit for your design when N-channels simply aren’t suitable, Our extensive MOSFET catalog also includes many P-channel device families, based on Nexperia’s leading Trench technology.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Id - Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DFN-1010D-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 8.33 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 187 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -2.5V |
| Maximum Power Dissipation | 8.33 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN1010D-3, SOT1215 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Width | 1.05mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
