LH8550QLT1G, 100nA 50V 225mW 1.5A 500mV@800mA,80mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
4200 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
3.30 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 225mW 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 1.5A |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LH8550QLT1G
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары