LH8550QLT1G, 100nA 50V 225mW 1.5A 500mV@800mA,80mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

4200 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.5 руб.
от 3000 шт.3.30 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015747013
Артикул: LH8550QLT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

50V 225mW 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA, 80mA
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) -
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 1.5A
Pd - Power Dissipation 225mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet LH8550QLT1G
pdf, 138 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.