HSBB3002, 30V 28A 20W 18m-@10V,10A 2.5V@250uA N Channel PRPAK3x3 MOSFETs
6825 шт., срок 6 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
23 руб.
от 150 шт. —
20 руб.
от 500 шт. —
17.45 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 28A 20W 18mΩ@10V,10A 2.5V@250uA N Channel PDFN3333-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 28A |
| Manufacturer | HUASHUO |
| Package / Case | PRPAK3x3 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 20W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18mΩ @ 10A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet HSBB3002
pdf, 506 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4423, Транзистор P-MOSFET 30В 10.9А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
