HSBA6115, 60V 35A 25m-@10V,18A 52.1W 2.5V@250uA 141pF@15V P Channel 3.635nF@15V 25nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5x6 MOSFETs

2360 шт., срок 6 недель
190 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 30 шт.93 руб.
от 100 шт.76.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015748608
Артикул: HSBA6115
Бренд: HUASHUO

Описание

60V 35A 25mΩ@10V,18A 52.1W 2.5V@250uA P Channel DFN-8(5.1x5.7) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 35A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V, 18A
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 3.635nF@15V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 52.1W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 141pF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 25nC@4.5V
Type P Channel
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet
pdf, 471 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.