HSS2012, 20V 6.8A 1.25W 14m-@4.5V,6A 1V@250uA N Channel SOT-23L MOSFETs
130 шт., срок 6 недель
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 6.8A 1.25W 14mΩ@4.5V,6A 1V@250uA N Channel SOT-23L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@4.5V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet HSS2012
pdf, 497 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
