L2SC1623RLT1G, 100nA 50V 225mW 150mA 250MHz 150mV@100mA,10mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
6150 шт., срок 6 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.70 руб.
от 6000 шт. —
2.33 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 225mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@100mA, 10mA |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L2SC1623RLT1G
pdf, 282 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары