LBC817-25LT1G, 100nA 45V 225mW 160@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

21450 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.3.30 руб.
от 6000 шт.2.84 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015754211
Артикул: LBC817-25LT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

45V 225mW 160@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 700mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 160@100mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 225mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet LBC817-25LT1G
pdf, 480 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.