HSS0008, МОП-Транзистор 100 В 1,2 А 310 м-при 10 В, 1 А 1 Вт 2,5 В при 250мкА N-канальные МОП-Транзистор SOT-22
290 шт., срок 6 недель
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
100V 1.2A 310mΩ@10V,1A 1W 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet HSS0008
pdf, 1580 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
