HSS2301C, 20V 2.9A 100m-@4.5V,3A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs
500 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 2.9A 100mΩ@4.5V,3A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.9A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100mΩ 3A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet HSS2301C
pdf, 1062 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO3422A, Транзистор N-MOSFET 60В 2.1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
