HSBB3004, 30V 46A 29W 8.5m-@10V,12A 2.5V@250uA N Channel PRPAK3x3 MOSFETs
2180 шт., срок 6 недель
51 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
29 руб.
от 150 шт. —
26 руб.
от 500 шт. —
22.24 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 255 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 46A 29W 8.5mΩ@10V,12A 2.5V@250uA N Channel PDFN3333-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 46A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V, 12A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 29W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet HSBB3004
pdf, 517 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
