LMBT3906WT1G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
880 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
40V 150mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Maximum DC Collector Current | 200mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LMBT3906WT1G
pdf, 490 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары