LBC817-40WT1G, 100nA 45V 150mW 250@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
960 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.30 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
45V 150mW 250@100mA,1V 500mA NPN SC-70(SOT323) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet LBC817-40WT1G
pdf, 315 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары