LMBT5551LT1G, Транзистор биполярный BJT 50нА 160В 225мВт 80@10мА,5В 600мА 200мВ@50мА,5мА NPN -55-+150-@(Tj) SOT-23
104250 шт., срок 6 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
1.80 руб.
от 6000 шт. —
1.55 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet LMBT5551LT1G
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SA1015, Транзистор PNP 50В 0.15А HFE=130…400 0.2Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
