HSBA8066, 80V 60A 8.7m-@10V,10A 52W 2.3V@250uA 12pF@40V N Channel 1738pF@40V 29nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5x6 MOSFETs
2189 шт., срок 6 недель
240 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
126 руб.
от 100 шт. —
107.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
80V 60A 8.7mΩ@10V,10A 52W 2.3V@250uA N Channel DFN-8(5.1x5.7) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.7mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.738nF@40V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF@40V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
| Type | N Channel |
| Manufacturer | HUASHUO |
| Package / Case | PRPAK5*6 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet HSBA8066
pdf, 711 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC002975537.jpg)
![2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/235/DOC000235967.jpg)
