LMBTA55LT1G, 100nA 60V 300mW 100@100mA,1V 500mA 50MHz 250mV@100mA,10mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
980 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 300mW |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LMBTA55LT1G
pdf, 85 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары