HSS2300A, 20V 6A 26m-@4.5V,4A 1W 1V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs
710 шт., срок 6 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.90 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 6A 26mΩ@4.5V,4A 1W 1V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 26mО© @ 4A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet HSS2300A
pdf, 3082 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
