2SA1013Y, SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
990 шт., срок 7 недель
20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 320@200mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 15MHz |
Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.