AOD2610E, TO-252 MOSFETs
960 шт., срок 6 недель
94 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
58 руб.
от 150 шт. —
49 руб.
от 500 шт. —
38.68 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V, 45A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.68nF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 104W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 489 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
