2SC5084YTE85LF, 1uA 12V 150mW 120@20mA,10V 80mA 7GHz NPN +125-@(Tj) SC-59 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2244 шт., срок 6 недель
61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 61 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 80 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| DC Current Gain HFE Max | 240 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 3 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 7 GHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-346-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SC5084 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
