HSBB3016, 30V 30A 43.4W 4m-@10V,20A 2.5V@250uA N Channel PRPAK3x3 MOSFETs
30 шт., срок 6 недель
110 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
от 30 шт. —
54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 30A 43.4W 4mΩ@10V,20A 2.5V@250uA N Channel PRPAK(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 43.4W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet HSBB3016
pdf, 1033 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294459.jpg)
