RTR020P02TL, 20V 2A 100m-@4.5V,2A 1W 2V@1mA 55pF@10V P Channel 430pF@10V 4.9nC@4.5V +150-@(Tch) SC-96 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 7 недель
56 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-346T-3 |
| Part # Aliases: | RTR020P02 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.9 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Series: | RTR020P02 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
