HSP100N15, 150V 100A 178W 7.3m-@10V,20A 3V@250uA 9.5pF@75V N Channel 5880pF@75V 100nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-220 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5 шт., срок 6 недель
600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 100A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.3mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.88nF@75V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 178W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9.5pF@75V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 774 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары