LBC807-16LT1G, 100nA 45V 225mW 100@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
11920 шт., срок 6 недель
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
3.30 руб.
от 3000 шт. —
2.60 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
45V 225mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 500mW |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары