MMBT3904LT1, Транзистор биполярный BJT 50нА 40В 250мВт 100@10мА,1В 100мА 300МГц 300мВ@50мА,5мА NPN +150-@(Tj) SOT-23

28550 шт., срок 6 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.2.50 руб.
от 6000 шт.2.23 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8015806198
Артикул: MMBT3904LT1
Бренд: LG Electronics

Описание

40V 250mW 100@10mA,1V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 330mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Manufacturer LGE
Maximum DC Collector Current 100mA
Package / Case SOT-23
Packaging Tape & Reel(TR)
Pd - Power Dissipation 250mW
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet MMBT3904LT1
pdf, 1617 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.