STGB15H60DF, TO-263-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7 недель
580 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
115W 30A 600V FS(Field Stop) D2PAK IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 30A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 103ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 115W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 60A |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.207mJ |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.136mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | D2PAK |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.73 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 761 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
