HSBA8074A, 80V 100A 3m-@10V,20A 126W 4V@250uA 50pF@45V N Channel 6580pF@45V 104nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK(5x6) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1863 шт., срок 6 недель
350 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 30 шт. —
224 руб.
от 100 шт. —
199.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
80V 100A 3mΩ@10V,20A 126W 4V@250uA N Channel PRPAK(5x6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 100A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.58nF@45V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 126W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 50pF@45V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 104nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары