ASDM100R045NQ-R, 100V 90A 60W 3.7m-@10V,20A 3V@250uA 13.2pF@40V N Channel 2890pF@40V 23nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(5x6) MOSFETs

1146 шт., срок 7 недель
280 руб.
от 10 шт.200 руб.
от 30 шт.178 руб.
от 100 шт.159.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015812675
Артикул: ASDM100R045NQ-R
Бренд: Ascend

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 90A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.7mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 2.89nF@40V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 60W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 13.2pF@40V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 23nC@10V
Type N Channel
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 626 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.