ASDM30P100KQ-R, 30V 100A 109W 5m-@10V,30A 1.5V@250uA 700pF@15V P Channel 6560pF@15V 30nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs
4630 шт., срок 7 недель
200 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 30 шт. —
105 руб.
от 100 шт. —
87.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 100A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V, 30A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.56nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 109W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 700pF@15V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 878 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.