HSS1N20, 200V 1A 1.9-@10V,1A 710mW 2.5V@250uA N Channel SOT-23L MOSFETs
3885 шт., срок 6 недель
53 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
31 руб.
от 150 шт. —
27 руб.
от 500 шт. —
22.98 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 265 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
200V 1A 1.9Ω@10V,1A 710mW 2.5V@250uA N Channel SOT-23L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9Ω@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 710mW |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 740 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
