AO3400-ED, 20V 3A 0.9W 55m-@10V,2.8A 1.2V@250uA N Channel 260pF@10V SOT-23 MOSFETs

46800 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.2.80 руб.
от 6000 шт.2.36 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015832468
Артикул: AO3400-ED
Бренд: HXY MOSFET

Описание

20V 3A 900mW 55mΩ@10V,2.8A 1.2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V, 2.8A
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 260pF@10V
Power Dissipation (Pd) 900mW
Type N Channel
Вес, г 0.04

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.