PPMT20V3, 20V 2.8A 900mW 110m-@4.5V,2.8A 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
190 шт., срок 6 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
