IRF640, TO-220 MOSFETs
27 шт., срок 7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
200V 18A 130mΩ@10V,7.5A 31W 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 3.65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3089 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
